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EUV
극자외선 extreme ultraviolet
파장의 광원을 이용해 반도체 원판인 웨이퍼에
회로를 그리는 제조공정
기존 공정에 적용중인 불화아르곤 ArF 보다
파장이 13분의 1 수준으로 짧아
미세한 패턴을 새길 수 있다
공정단계를 줄여 원가절감, 제품의 크기를 작게
만들 수 있다
극자외선 extreme ultraviolet
파장의 광원을 이용해 반도체 원판인 웨이퍼에
회로를 그리는 제조공정
기존 공정에 적용중인 불화아르곤 ArF 보다
파장이 13분의 1 수준으로 짧아
미세한 패턴을 새길 수 있다
공정단계를 줄여 원가절감, 제품의 크기를 작게
만들 수 있다
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